概要
Si基板メーカーのSAMCOとの共同研究において、Si基板のGaN成長用基板としての問題点を評価行っています。GaN/Si結晶成長の問題点から、デバイス作製時の問題点まで、通常用いられるサファイア基板との違いを中心に研究を行っています。
連携期間・連携先
2010年～現在、SAMCO
成果
SiとGaNの間の中間層の選定、反り・クラックの改善、Si基板へのAl、Ga等の拡散によるHEMT作製時のリーク電流等の問題の改善等、Si基板上GaNの基礎的な問題を連携して改善してきました。
活用できた拠点の特徴など、PR
MOVPE成長装置を一から立ち上げ、Siにおける結晶成長の問題点を改善しました。本装置はGaN/Si成長装置としてのデータを蓄積しており、得られる結晶はデバイス応用が可能です。