拠点の特徴
- IoT
- カーボンニュートラル
- デジタルシフト
- 半導体戦略
- 共同研究
- 研究開発
- イノベーション
- グリーンイノベーション
※黒枠で表示しているものは拠点独自の特徴です。
研究概要
次世代集積エレクトロニクスシステム分野、特に(1)スピントロニクス・3Dメモリ、(2)AIハードウェア及び(3)パワーエレクトロニクスを中心とした先端技術に対する国際産学コンソーシアム(CIESコンソーシアム)による研究開発を通じ、カーボンニュートラルやデジタルシフトの実現に欠かせないエッジコンピューティング、カーエレクトロニクス、AIシステム等の技術における我が国の国際的競争力強化、当該分野技術の実用化及び新産業の創出に貢献します。
研究者からのコメント
当センターでは、海外や地域の企業も含めた産学連携の共同研究を推進しており、集積エレクトロニクス技術を用い、新産業の創出に寄与することをミッションとしています。景気の後退などにより、企業の本社直轄のコーポレートラボが消えつつある現在、当センターでは、基礎研究というより、企業が商品として求める応用研究を実践し、成果を迅速に社会実装できるよう、鋭意研究開発を推進しています。現在、国内外の約70社に当センターを活用していただいております。
研究実績
- 「1桁ナノメートル世代の集積化技術での10年以上のデータ保持と1兆回に到達する書き換え耐性を有する低消費電力MRAM技術の開発に成功(2021年6月)」
( https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2021/06/press20210601-03-quadmtj.html ) - 「世界に先駆け、200MHzで50μW以下の高性能・低消費電力スピントロニクス不揮発マイコンを実証(2019年2月)」
( https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2019/02/press20190219-01-ISSCC.html )
参考URL
- 当センターウェブサイト
(http://www.cies.tohoku.ac.jp) - 東北大学プレスリリース「第14回産学官連携功労者表彰「内閣総理大臣賞」受賞 高性能不揮発性メモリとその評価・製造装置の開発、及び国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発拠点の構築」
(http://www.tohoku.ac.jp/japanese/2016/08/press20160819-02.html)
センターによる研究支援体制
研究支援
当センターは、弁理士等、知的財産権専門の専従担当者を複数擁するセンター独自の知的財産担当部署を内部に有し、成果の社会実装に向け、共同研究する企業との保有権や技術契約に関してフレキシブルに対応しております。また、東北大学内の産学連携部署やURAなど研究開発の側面支援を活用できる体制も用意されております。
施設・設備
当センターは、スピントロニクスロジック半導体開発における世界で唯一の、産業界の最先端の製造設備と同じ300mmウェハに対応するR&D施設を有しており、設計・試作・評価・システム化までをシームレスに開発する事が可能であり、開発結果を社会実装に迅速につなげることが可能です。また、共同研究開発先の研究者をセンター内に常駐するレジデントとして受け入れも行っております。
研究シーズ
当センターは、2012年の設置以来、研究開発活動を通じて蓄積された最先端の集積エレクトロニクス技術のシーズを有しており、係るシーズとのマッチングが可能です。また、それらのシーズはセンターの知的財産権として保有し、共同研究開発企業にも活用できる仕組みを整えております。
人材育成
当センターの設備は、産業界の最先端の製造設備と共通するものであり、その利活用を通じて、ラボレベルの研究開発のスキルの習熟にとどまらず、実生産規模での開発スキルを磨くとともに、幅広い分野の研究者の連携によって相互に研鑽を積むことができます。
上記以外で企業に対してPRしたい拠点の特徴
当センターは、国内外企業と共創の場であるコンソーシアムを形成しており、共同研究先企業同士を当センターを介した企業間連携、いわばBtoBから大学を介したB-U-Bの連携によって、革新技術をイノベーションにつなげるべく、研究開発効率の向上や、技術バリューチェーンを構築する役割を果たしています。
拠点からのメッセージ
研究事例
令和2年度戦略的基盤技術高度化支援事業(サポイン事業)「スピントロニクス/CMOS Hybrid LSI の設計技術及びソフトウェア開発と実用化」
概要
パワースピン(株)がハードウェア(回路設計、PDK、IP、設計ツール)開発を行い、当センターはそのハードウェア開発につなげる基盤技術(デバイスパラメータ抽出技術、特性解析技術等)の提供と事業管理を行い、また、ティアンドエス(株)がソフトウェア(FM/SDK)開発を行うことで、3者が一体となってスピントロニクス/CMOS Hybrid LSI にかかる回路設計/システム設計/ソフトウェア実装効率の向上を実現する技術基盤を構築。
連携先
パワースピン株式会社、ティアンドエス株式会社
成果
設計効率、アプリケーション設計/実装効率10倍となるようなスピントロニクス/CMOS Hybrid LSI技術を用いたアプリケーションプロセッサの開発基盤を構築。
活用できた拠点の特徴など、PR
当センターの最先端の設備及び事業管理のノウハウに加え、サポイン事業といった中小企業に対する公的資金による支援が有効に3者による研究環境構築に機能しました。
高性能不揮発性メモリとその評価・製造装置の開発
概要
当センターの保有するSTT-MRAM等に係るプロセス・デバイス・システムに係るコア技術を適用し、半導体製造装置メーカーの東京エレクトロン株式会社は、STT-MRAM向けの製造装置の開発を行うとともに、計測機器メーカーのキーサイト・テクノロジー・インターナショナル合同会社は、製造されたSTT-MRAM向けの評価装置の開発を行うもの。
連携先
東京エレクトロン株式会社、キーサイト・テクノロジー・インターナショナル合同会社
成果
本共同研究成果に基づいて、東京エレクトロン株式会社は、STT-MRAM等の製造装置を、また、キーサイト・テクノロジー・インターナショナル合同会社は、STT-MRAM等の計測システムの販売事業を開始でき、それぞれ新市場を創設することとなりました。
活用できた拠点の特徴など、PR
(1)材料(川上技術)からシステム(川下技術)まで対応する当センターの革新的コア技術、(2)センター内に設置した300mmウエハ対応のプロセスラインからなるハード、そして(3)オープンイノベーション型研究開発のために構築された産学連携コンソーシアムによるフレキシブルなフレームワーク等のソフト、これら三つの要素を有機的に結合することで、様々な分野からの参加企業の共同研究環境が向上しています。
拠点からのコメント
拠点詳細
【拠点名】
東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター
【住所】
〒980-8572 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉468-1
【HP】
http://www.cies.tohoku.ac.jp/
【連絡先】
戦略企画部門 大畑 通隆、支援室 安藤 智広
TEL 022-796-3410(代表) FAX 022-796-3432
support-office@cies.tohoku.ac.jp
【連絡先】
国際集積エレクトロニクス研究開発センター 戦略企画部門
TEL 022-796-3410(代表) FAX 022-796-3432
support-office@cies.tohoku.ac.jp