概要 半導体ファブメーカとSiCパワー半導体デバイスの研究開発に取り組み、メーカ側研究員が本研究所に常駐し、一緒に研究開発を行いました。デバイスプロトタイピング、すなわちデバイス設計⇒試作⇒評価を研究所の同じ建物内で短期間に行い、これを繰り返すことで早期に実用レベルのプロトタイプに仕上げました。このプロトタイプをベースに、メーカ側ファブで量産を開始しました。