概要
多様なエネルギースペクトルを持つ中性子照射施設を用いて、地上での中性子起因ソフトエラーの発生率を求める校正技術を確立し、現行のSRAMチップに対する精度が十分であることを確認しました。
連携期間、連携先
連携期間：5年、連携先：半導体製造企業 数社
成果
実測を最小化しシミュレーション算式による標準評価法を確立しました。
活用できた拠点の特徴など、PR
地上の中性子のエネルギースペクトルを再現する中性子照射施設は世界に数箇所しかなく、高信頼を要求する半導体アプリケーションの増加に対して評価施設が不足しています。開発評価法によれば、多様な施設でのソフトエラー評価が可能となり、施設問題を解消できます。