内閣府SIP高速スイッチング回路基板技術の開発

概要

窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の有力な応用先として注目される高周波駆動、パワーエレクトロニクスシステムを13.56MHz/7kW条件にて実証評価を行い、将来的なワイヤレス給電システムへの適用可能性の模索、並びに提案システムの社会実装を目指します。

連携期間・連携先

2018年11月11日~2023年3月31日
SIP国立研究開発法人 科学技術振興機構

成果

研究期間をあと1年以上残し、GaNパワー半導体駆動にて13.56MHz/1kW出力の成果を実現し、大容量化に対する並列接続電源の基本高周波電源の構築を実現しました。また新しいワイヤレス給電システムの提案も行い知財化を進めています。

活用できた拠点の特徴など、PR

新しいワイヤレス給電システムが電子情報通信学会・無線電力伝送研究専門委員会が主催するワイヤレス給電コンテストにて優勝しました。高周波パワーエレクトロニクスの応用システムの受け皿を切り拓きました。